Firma Samsung rozpoczęła dziś masową produkcję nowych modułów DDR3 DRAM w procesie produkcyjnym 20 nanometrów. Te nowe moduły mają pojemność 4Gb, czyli 512MB. Dostępna pamięć poszczególnych modułów nie jest jednak ich podstawową cechą. Postęp polega właśnie na zastosowaniu nowego procesu produkcyjnego, którego efektem jest aż o 25% mniejsze zużycie energii w porównaniu do starszego, 25-nanometrowego procesu.
Przejście na technologię 20 nm to jednocześnie ostatni krok dzielący firmę od rozpoczęcia produkcji modułów pamięci w procesie 10 nm. Technologia zastosowana obecnie w nowych modułach jest jednocześnie najbardziej zaawansowaną na rynku i można z niej korzystać nie tylko na komputerach, ale także na urządzeniach mobilnych. W przypadku komputerów oznacza to, że Samsung jest teraz w stanie tworzyć chipy o tej samej wielkości, ale ze znacznie większą pamięcią operacyjną. Samsung musiał także zmodyfikować swoją istniejącą technologię, aby móc zmniejszyć chipy przy zachowaniu obecnej metody produkcji.
- Może zainteresuje Cię: Firma Samsung opracowała pierwszą mobilną pamięć DRAM LPDDR8 o pojemności 4 Gb
