Firma Samsung Electronics poinformowała, że rozpoczęła masową produkcję najbardziej zaawansowanych modułów pamięci DDR4 o pojemności 8 Gb, a wraz z nimi rozpoczęła produkcję pierwszych modułów pamięci RAM DDR32 o pojemności 4 GB przeznaczonych do serwerów korporacyjnych. Te nowe pamięci RAM są produkowane w nowym procesie technologicznym 20 nm, takim samym, jak obecnie stosowanym w produkcji nawet najbardziej zaawansowanych procesorów mobilnych. Samsung twierdzi, że te moduły pamięci spełniają wszystkie wymagania dotyczące wysokiej wydajności, dużej gęstości i oszczędności energii w serwerach korporacyjnych nowej generacji.
Ponadto, wprowadzając nowe moduły DDR8 4 Gb, Samsung sfinalizował całą gamę modułów DRAM produkowanych w procesie produkcyjnym 20 nm. Obecnie seria ta obejmuje moduły LPDDR6 3 Gb do urządzeń mobilnych i moduły DDR4 3 Gb do komputerów PC. Następnie, jak wspomniano powyżej, Samsung rozpoczyna produkcję modułów pamięci RDIMM o pojemności 32 GB, które oferują szybkość transferu 2 Mb/s na pin, co stanowi 400% wzrost wydajności w porównaniu z szybkością transferu pamięci DDR29 serwera wynoszącą 1 Mb/s. Ale możliwości tej technologii nie kończą się na 866 GB, a Samsung stwierdził, że dzięki technologii 3D TSV możliwe jest opracowanie modułu pamięci o pojemności do 32 GB. Zaletą nowych modułów jest także wspomniane mniejsze zużycie energii, ponieważ te układy DDR3 wymagają napięcia 128 V, co jest obecnie najniższym możliwym napięciem.
//
//
*Źródło: Samsung
