Obecnie Samsung przygotowuje się do rozpoczęcia produkcji ultraszybkiej pamięci UFS 2.0 NAND Flash, którą planuje zastosować w swoim przyszłym flagowcu Samsung Galaxy S6. Do tej pory korzystano z technologii pamięci eMMC NAND Flash, która pozwalała osiągnąć prędkość transferu na poziomie 400 MB/s. Jednak dzięki nowej technologii UFS drugiej generacji pamięć znajdzie się w telefonach Galaxy S6 jest w stanie osiągnąć prędkość transferu do 1.2 GB/s, czyli prędkość trzykrotnie wyższą.
Znajdzie to oczywiście odzwierciedlenie w przesyłaniu dużych plików, jak np. przesyłanie filmów 4K za pomocą połączenia LTE-A. Dodatkowo w porównaniu do eMMC 5.0 technologia oferuje aż o 50% mniejsze zużycie energii, co pozytywnie wpływa na żywotność baterii nowego telefonu. Samsung planuje zastosować tę technologię także w swoich kartach SD i microSD i najwyraźniej już nad nią intensywnie pracuje. Główny chiński rywal Samsunga, Xiaomi, również planuje wykorzystanie pamięci UFS Flash i wygląda na to, że zainteresowanie nią wykażą także Toshima, Hynix i Micron. Dodatkowo, dzięki technologii UFS, Samsung będzie zmuszony skorzystać z portu microUSB 3.0, jeśli będzie chciał wykorzystać prędkość transferu podczas przesyłania plików z komputera na telefon komórkowy i odwrotnie.
var sklikData = { wiąz: "sklikReklama_47926", identyfikator strefy: 47926, szer.: 600, wys.: 190 };
var sklikData = { wiąz: "sklikReklama_47925", identyfikator strefy: 47925, szer.: 600, wys.: 190 };
*Źródło: ETNews
