Chociaż Samsung jeszcze tego nie wprowadził Galaxy S9 i już zaczyna się o nim spekulować Galaxy S10. Najwyraźniej flagowiec, który południowokoreański gigant wprowadzi w przyszłym roku, powinien mieć mocniejszy chip niż tegoroczny Galaxy S9. Serce wersji międzynarodowej Galaxy S9 to Exynos 9810, a amerykańska wersja to Snapdragon 845. Samsung musiał trzymać się procesu 10 nm, ale chipy 7 nm powinny pojawić się w smartfonach już w przyszłym roku, tj. Galaxy S10.
Wczoraj Qualcomm zaprezentował Snapdragon X24, nowy modem LTE do smartfonów, który obiecuje teoretyczną prędkość pobierania do 2 Gb/s. Qualcomm twierdzi, że jest to pierwszy modem LTE kategorii 20 obsługujący tak duże prędkości. Snapdragon X24 stanie się tym samym pierwszym modemem LTE zbudowanym w architekturze 7 nm.
Qualcomm powiedział, że modem trafi na urządzenia komercyjne jeszcze w tym roku, więc nie zadebiutuje z chipem Snapdragon 845, który napędza wersję amerykańską Galaxy S9. Snapdragon 845 ma modem Snapdragon X20 LTE.
Choć Qualcomm nie potwierdził, że nadchodzący procesor, czyli Snapdragon 855, będzie wytwarzany w procesie 7 nm. To jedynie spekulacje, oparte na profilu LinkedIn jednego z pracowników dostawcy.
Snapdragon 855, który miałby mieć modem Snapdragon X24, stałby się tym samym pierwszym na świecie procesorem mobilnym wykonanym w procesie technologicznym 7 nm. I Galaxy S10 stałby się pierwszym smartfonem wyposażonym w taki procesor.
Źródło: SamMobile
